最新發(fā)布的MT6111系統(tǒng)，是市場現(xiàn)有的MT6060系統(tǒng)的改進(jìn)型。和MT6060系統(tǒng)相比較，MT6111系統(tǒng)提高了測試效率，減少了將近20%的量產(chǎn)測試時(shí)間。MT6111系統(tǒng)是為占據(jù)了很大半導(dǎo)體市場份額的DRAM的量產(chǎn)而設(shè)計(jì)的高性價(jià)比存儲器測試機(jī)。除測試DRAM之外，MT6111也能應(yīng)用于市場需求快速增長的NAND/NOR類型閃存[＊2]的測試。 

發(fā)展背景 

    半導(dǎo)體市場在過去30年內(nèi)持續(xù)增長并且這種增長勢頭在未來還將繼續(xù)。DRAM半導(dǎo)體器件的需求促動了這種市場增長。DRAM不僅在個(gè)人電腦上大量使用，也正在越來越廣泛地應(yīng)用于家用數(shù)碼產(chǎn)品。可以預(yù)測到DRAM在半導(dǎo)體市場將持續(xù)地占有較大份額。 

    在半導(dǎo)體市場快速成長的同時(shí)，IC的制造廠家正在努力降低IC的制造成本來增強(qiáng)其在全球的競爭力。例如，早期微制成技術(shù)的應(yīng)用就是為了能從一塊晶圓上制造出更多的芯片。減少測試成本是半導(dǎo)體制造商增強(qiáng)其在全球競爭力的另一關(guān)鍵所在。為了迎合客戶的此種需求，橫河電機(jī)開發(fā)出高效能，低成本的DRAM測試系統(tǒng)。 

系統(tǒng)性能 

1. 并行測試
系統(tǒng)最大配置兩個(gè)獨(dú)立的測試站，最大的同測數(shù)目達(dá)到1024 DUT（MT6060產(chǎn)能的兩倍），因此提高了系統(tǒng)的性能并且增強(qiáng)了測試制程的產(chǎn)出。 

2. 低成本高效率的量產(chǎn)測試
為了提高DRAM的測試效率并降低測試成本，MT6111的最大工作主頻率達(dá)到140MHz。

3. 體積小重量輕 
MT6111系統(tǒng)僅占據(jù)橫河電機(jī)先前同類系統(tǒng)60%的空間，給測試制程節(jié)省了大量的空間并且有利于整體運(yùn)行成本的降低。

主要特性參數(shù)

最大工作頻率: 140MHz
數(shù)據(jù)傳輸率: 280Mbits每秒
同測數(shù)目: 最大1024 DUT（兩個(gè)測試站時(shí)）
測試站配置: 2個(gè)（單個(gè)測試站亦可） 

主要市場

半導(dǎo)體制造商和半導(dǎo)體測試公司

應(yīng)用

半導(dǎo)體器件DRAM ，NAND和NOR類閃存的前道工藝晶圓測試。

[＊1] DRAM
DRAM是動態(tài)隨機(jī)存儲器的簡稱，是一類需定期刷新的隨機(jī)存儲器，主要應(yīng)用于個(gè)人電腦。

[＊2] 閃存
閃存是一類可讀寫的穩(wěn)定存儲介質(zhì)。NAND類閃存儲器存儲密度較高，主要應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)的存儲卡等等。NOR類閃存儲器能提供較高的隨機(jī)存儲性能，通常作為手機(jī)的存儲介質(zhì)。